Mechanical properties and failure behavior of phosphorene with grain boundaries
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
determination of some physical and mechanical properties red bean
چکیده: در این تحقیق، برخی خواص فیزیکی و مکانیکی لوبیا قرمز به-صورت تابعی از محتوی رطوبت بررسی شد. نتایج نشان داد که رطوبت بر خواص فیزیکی لوبیا قرمز شامل طول، عرض، ضخامت، قطر متوسط هندسی، قطر متوسط حسابی، سطح تصویر شده، حجم، چگالی توده، تخلخل، وزن هزار دانه و زاویه ی استقرار استاتیکی در سطح احتمال 1 درصد اثر معنی داری دارد. به طوری که با افزایش رطوبت از 54/7 به 12 درصد بر پایه خشک طول، عرض، ضخام...
15 صفحه اولinvestigation of gassing behavior, electric and dielectric properties of different insulating fluids.
ترانسفورماتورهای قدرت از اجزای اصلی شبکه تامین انرژی الکتریکی می باشند که عملکرد قابل اطمینان ترانسفورماتورها یکی از فاکتورهای مهم و تعیین کننده در تامین انرژی الکتریکی محسوب می شود. در نتیجه بررسی و مانیتور عملکرد ترانسفورماتورها در شبکه و همچنین عیب یابی این ترانسفورماتورها غیرقابل اجتناب و ضروری می باشد. به طور کلی عایق های مایع در صنعت فشار قوی کاربردهای متفاوتی دارند که مهمترین وظیفه آنها...
15 صفحه اولElectrical Properties of Grain Boundaries
The electrical properties of grain boundaries are very different in insulators, semiconductors and metals. We present them briefly in the case of insulators and semiconductors and with more details in the case of metals.
متن کاملSuperfluidity of grain boundaries and supersolid behavior.
When two communicating vessels are filled to a different height with liquid, the two levels equilibrate because the liquid can flow. We have looked for such equilibration with solid (4)He. For crystals with no grain boundaries, we see no flow of mass, whereas for crystals containing several grain boundaries, we detect a mass flow. Our results suggest that the transport of mass is due to the sup...
متن کاملModulation of electronic and mechanical properties of phosphorene through strain
We report a first-principles study on the elastic, vibrational, and electronic properties of the recently synthesized phosphorene. By calculating the Grüneisen parameters, we evaluate the frequency shift of the Raman and infrared active modes via symmetric biaxial strain. We also study a strain-induced semiconductor-metal transition, the gap size, and the effective mass of carriers in various s...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Nanotechnology
سال: 2017
ISSN: 0957-4484,1361-6528
DOI: 10.1088/1361-6528/aa537b